产品概述：

  覆盖650V-3300VSiCSBD和SiCMOSFET产品，采用第三代精细平面栅/第四代沟槽栅技术、体二极管续流，比导通电阻最低可到1.8mΩ·cm2

  主要技术参数：

  可满足新能源汽车主驱、OBC、DC/DC、充电桩、新能源发电、测试电源、轨道交通等复杂、高可靠性应用工况需求。